от 54 р. в день
• сокет: LGA2011-3
• количество ядер: 4 x 3500-3800 МГц
• объем кэша L2/L3: 1 МБ/10 МБ
• оперативная память: 4 x DDR4 1600/1866/2133/2400 МГц
• тепловыделение: 140 Вт
• техпроцесс: 14 нм
• количество потоков: 8
• ядро процессора: Broadwell-EP
• дата выхода: Q2 2016
• количество ядер: 4 x 3500-3800 МГц
• объем кэша L2/L3: 1 МБ/10 МБ
• оперативная память: 4 x DDR4 1600/1866/2133/2400 МГц
• тепловыделение: 140 Вт
• техпроцесс: 14 нм
• количество потоков: 8
• ядро процессора: Broadwell-EP
• дата выхода: Q2 2016
| Общие характеристики | |
| Socket | LGA2011-3 |
| Ядро | |
| Ядро | Broadwell-EP |
| Количество ядер | 4 |
| Техпроцесс | 14 нм |
| Частотные характеристики | |
| Количество потоков | 8 |
| Коэффициент умножения | 35 |
| Максимальная частота с Turbo Boost | 3800 МГц |
| Максимальный объем памяти | 1536 ГБ |
| Тактовая частота | 3500 МГц |
| Частота памяти | 1600/1866/2133/2400 МГц |
| Тип памяти | DDR4 |
| Встроенный контроллер памяти | есть, полоса 76.8 ГБ/с |
| Максимальное количество каналов памяти | 4 |
| Кэш | |
| Объем кэша L1 | 256 КБ |
| Объем кэша L3 | 10 МБ |
| Объем кэша L2 | 1 МБ |
| Дополнительно | |
| Макс. кол-во каналов PCI Express | 40 |
| Поддержка Intel vPro | есть |
| Типичное тепловыделение | 140 Вт |
| Максимальная рабочая температура | 69 °C |





