• 1 модуль памяти DDR4
• объем модуля 4 ГБ
• форм-фактор SODIMM, 260-контактный
• частота 2400 МГц
• CAS Latency (CL): 17
• объем модуля 4 ГБ
• форм-фактор SODIMM, 260-контактный
• частота 2400 МГц
• CAS Latency (CL): 17
| Общие характеристики | |
| Поддержка XMP | нет |
| Тип памяти | DDR4 |
| Форм-фактор | SODIMM 260-контактный |
| Тактовая частота | 2400 МГц |
| Пропускная способность | 19200 МБ/с |
| Объем | 1 модуль 4 ГБ |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 17 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 17 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 17 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 39 |
| Дополнительно | |
| Количество чипов каждого модуля | 8, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.2 В |
| Количество ранков | 1 |
Похожие товары
